三星制程技术的改进为晶片的性能和功耗带来了显著优势
•该公司计划在2027年发布采用SF1.4(1.4奈米级)制程技术,将把纳米片(nanosheet)的数量从3个增加到4个
• 每个晶体管增加纳米片的机制:
1、增强电流→提高芯片性能
2、更好地控制电流→降低漏电流和功耗
Kioxia与WDC的谈判因SK海力士的反对而终止
• 截至23年3月,这两家公司在NAND Flash方面的总市场份额为35.4%,规模更大的三星占34.3%。
• 尽管两家公司已终止了业务合并的谈判,但是双方将继续在芯片开发和工厂投资方面合作。
SK海力士努力巩固其在未来人工智能基础设施中的地位
• 与上季度相比营业收入增长24%,营业损失减少38%。这得益于AI等高性能面向服务器的产品和HBM3(人工智能应用的关键产品)以及高容量DDR5的强劲需求。
• SK海力士决定加大对HBM、DDR5、LPDDR5 DRAM等产品的投资。并以第四代10纳米级(1a)和第五代10纳米级(1b)DRAM为中心的生产线转换。
美光内存制造厂开工建设
• 该工厂位于博伊西,是美光公司总部所在地,也是北美唯一的DRAM研发制造工厂。
• 内存制造厂的一同建设将为美光和美国带来多项战略利益。随着美光持续推动行业领先地位,也将带领整个半导体行业居于领先。
Type | Supply | Price | |
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DRAM Module |
DDR3 | ● | ▲ |
DDR4 | ● | ▲ | |
DDR5 | ● | ▲ | |
Flash Storage |
SLC | ● | ▂ |
MLC | ● | ▂ | |
3D TLC (BiCS3) *供应有限, 建议采用BiCS4或BiCS5 We encourage you to migrate to BiCS4 and BiCS5 |
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3D TLC (BiCS4) | ● | ▲ | |
3D TLC (BiCS5) | ● | ▲ |
● 供给稳定 ● 供给略紧张 ▂ 持平 ▲ 上扬 ▼ 下跌
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