11月份存储市场产业新讯

November 2023
11月份存储市场产业新讯

三星制程技术的改进为晶片的性能和功耗带来了显著优势

•该公司计划在2027年发布采用SF1.4(1.4奈米级)制程技术,将把纳米片(nanosheet)的数量从3个增加到4个

• 每个晶体管增加纳米片的机制:

1、增强电流→提高芯片性能

2、更好地控制电流→降低漏电流和功耗

Kioxia与WDC的谈判因SK海力士的反对而终止

• 截至23年3月,这两家公司在NAND Flash方面的总市场份额为35.4%,规模更大的三星占34.3%。

• 尽管两家公司已终止了业务合并的谈判,但是双方将继续在芯片开发和工厂投资方面合作。

SK海力士努力巩固其在未来人工智能基础设施中的地位

• 与上季度相比营业收入增长24%,营业损失减少38%。这得益于AI等高性能面向服务器的产品和HBM3(人工智能应用的关键产品)以及高容量DDR5的强劲需求。

• SK海力士决定加大对HBM、DDR5、LPDDR5 DRAM等产品的投资。并以第四代10纳米级(1a)和第五代10纳米级(1b)DRAM为中心的生产线转换。

美光内存制造厂开工建设

• 该工厂位于博伊西,是美光公司总部所在地,也是北美唯一的DRAM研发制造工厂。

• 内存制造厂的一同建设将为美光和美国带来多项战略利益。随着美光持续推动行业领先地位,也将带领整个半导体行业居于领先。

供需和价格走势

全球SSD出货量


需求可能在第四季度达到2023年的新高。

全球内存产量


全应用领域的内存产量将从2023年第四季度开始实现稳定增长。

2023-2024 NAND Flash 512Gb TLC合约价和满足率

NAND 满足率: 2023年下半年至2024年都将维持在极低的水平。

价格走势: NAND Flash的价格在2023年第三季度大幅上涨后,将在2023年第四季度至2024年第三季度呈现缓慢增长。

2023-2024 DDR4 8Gb 1G*8 3200MHz 价格和满足率

内存满足率: 从2023年第四季度开始将维持在极低的水平。
价格走势: DDR4 8Gb内存合约价直到2024年都不会有明显的上涨,可能在12月24日突破现货低点。

供给与价格趋势分析

  Type Supply Price

DRAM Module

DDR3
DDR4
DDR5

Flash Storage

SLC
MLC

3D TLC (BiCS3)

*供应有限, 建议采用BiCS4或BiCS5

We encourage you to migrate to BiCS4 and BiCS5

3D TLC (BiCS4)
3D TLC (BiCS5)

供给稳定 供给略紧张 持平 上扬   下跌

总结

虽然市场研究并没有表明第四季度价格会显著上涨,但原厂已经大幅减产,这将影响到现货市场价格呈现持续上涨趋势。 在威刚,我们致力于支持长期合作客户支持此次价格上涨。我们鼓励您与您的客户销售代表联系,讨论预订2024年订单的预估报价。
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