12月份存储市场产业新讯

December 2023
12月份存储市场产业新讯

三星将存储芯片密度开发到极致

•11纳米级DRAM芯片和第九代V-NAND都在开发中,以满足超大规模人工智能设备需要高性能、高容量和低功耗的内存需求

• 该公司还大规模量产HBM内存芯片,以抢占人工智能、数据中心和机器学习平台的市场份额

WD董事会批准了一项将HDD和闪存业务分离的计划

分离将更好地定位每个特许经营权,以执行创新技术和产品开发,可在行业形势改善的情况下为股东创造价值

Kioxia在2023财年的第二季度净亏损达到创纪录的13亿美元,反映出半导体需求面临更大的挑战

继日本工业伙伴公司(JIP)以140万美元收购东芝后,东芝将于2023年12月20日从东京证券交易所退市

SK海力士第三季度DRAM市场份额达到创纪录的35%

• 得益于人工智能芯片需求的快速增长,带来了对HBM产品的需求增长。

• 该公司在4月23日已经拥有HBM 50%的市场份额,尽管该产品线仅占DRAM收入的10%。

美光宣布推出基于32Gb单片芯片的128GB DDR5 RDIMM内存

• 该产品的性能高达8000MT/s,可支持今后的数据中心工作负载。

• 满足数据中心和云环境中各种关键任务应用的性能需求:人工智能、内存数据库(IMBD)以及各种需要多核多线程计数的生产力场景。

供需和价格走势

全球SSD出货量


需求可能在第四季度达到2023年的新高。

全球内存产量


全应用领域的内存产量将从2023年第四季度开始实现稳定增长。

2023-2024 NAND Flash 512Gb TLC合约价和满足率

NAND 满足率: 2023年下半年至2024年都将维持在极低的水平。

价格走势: NAND Flash的价格在2023年第四季度大幅上涨后,将于2024年第一季度至第三季度开始持续攀升。

2023-2024 DDR4 8Gb 1G*8 3200MHz 价格和满足率

内存满足率: 从2023年第四季度开始将维持在极低的水平。
价格走势: DDR4 8Gb内存合约价直到2024年都不会有明显的上涨,可能在12月24日突破现货低点。

供给与价格趋势分析

  Type Supply Price

DRAM Module

DDR3
DDR4
DDR5

Flash Storage

SLC
MLC

3D TLC (BiCS3)

*供应有限, 建议采用BiCS4或BiCS5

We encourage you to migrate to BiCS4 and BiCS5

3D TLC (BiCS4)
3D TLC (BiCS5)

 供给稳定  供给略紧张  持平  上扬   ▼ 下跌

总结

虽然市场研究并没有表明第四季度价格会显著上涨,但原厂已经大幅减产,这将影响到现货市场价格呈现持续上涨趋势。 在威刚,我们致力于支持长期合作客户支持此次价格上涨。我们鼓励您与您的客户销售代表联系,讨论预订2024年订单的预估报价。
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