三星在内存和NAND竞争力不佳后重组半导体业务高管
• 三星已改组其领导团队，以加强其内存和代工芯片部门，努力与竞争对手SK海力士和台积电在快速增长的人工智能市场竞争。
• 据传，该公司的制造产量较低，未能从大客户那里获得具有战略重要性的订单。它的HBM3E存储器的市场份额小于SK海力士，又在验证方面落后于美光和SK海力士NVIDIA。
Kioxia产品被NEDO项目采用，在后5G系统基础设施项目下开发创新内存制造技术
• 在后5G信息和通信时代，预计AI将产生前所未有的数据量，下一代存储器必须能够通过高性能处理器促进快速数据传输，同时增加容量并降低功耗。
• 与日本国家研发机构NEDO合作，Kioxia将专注于于为最近推出的Compute Express Link™ (CXL™)接口标准研发存储器。其目标是开发相较DRAM功耗更低、位密度更高，相较闪存读取速度更快的存储器。
WD(西数)为创作者和游戏玩家发布SSD
• 新产品包括2-4TB（280美元/430美元）闪迪至尊极速PRO，带USB4性能便携式SSD，8TB（800美元）闪迪至尊极速便携式SSD，1-2TB（60美元/160美元）WD_BLACK SN7100 NVMe M.2 SSD，以及适用于Xbox的2TB（200美元）WD-BLACK C50扩展卡。
SK海力士凭借HBM3e 16hi产品引领市场
• 该新产品每颗HBM芯片容量为48GB，适用于包括CSP定制ASIC和通用GPU在内的应用。16hi HBM3e预计将在HBM4系列推出之前突破内存容量限制，样品计划于2025年上半年进行。
Micron推出E3.S规格、高达61TB的6550 ION PCIe Gen5的数据中心SSD
•作为业界首款E3.S和PCIe Gen5 60TB SSD，6550 ION在高容量NVMe工作负载方面表现出色，满足网络AI数据湖、摄取、数据准备和检查点、文件和对象存储、公共云存储、分析数据库和内容交付的高需求。目前，改产品正进入客户送样阶段
全球SSD需求在整个2024年底达到顶峰，2025年的出货量将按季度逐步增长。
NAND 满足率: 自2024年中以来，将维持在较低的水平。
价格走势: NAND Flash的价格在4Q2024至1Q2025期间可能会下降，但一些芯片制造商计划进行新一轮减产以降低价格下降幅度。
DRAM满足率: 2024年全年保持在极低水平，2025年上半年可能会有更多的产量以满足HBM需求。
价格走势: 8Gb合约价在2024年第一季末呈现强势反弹，此后的价格一直保持在类似水平。2025年，DRAM价格可能会有所下降，但与最低现货价格水平相比仍然相对较高。
| Type | Supply | Price | |
|---|---|---|---|
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DRAM Module  |
DDR3 | ● | ▂ |
| DDR4 | ● | ▂ | |
| DDR5 | ● | ▂ | |
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Flash Storage  |
SLC | ● | ▂ |
| MLC | ● | ▂ | |
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3D TLC (BiCS3) *供应有限, 建议采用BiCS5 |
● | ▂ | |
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3D TLC (BiCS4) *供应有限, 建议采用BiCS5 |
● |
▂ | |
| 3D TLC (BiCS5) | ● | ▼ |
● 供给稳定 ● 供给略紧张 ● 供给吃紧 ▂ 持平 ▲ 上扬 ▼ 下跌
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