2月份存储市场产业新讯

三星连续第三年在美国专利数量上位居榜首，台积电升至第二位

• 三星在2024年获得了美国近2%的专利授权。该公司继续保持领先地位，并成功实现了专利数量的逐年增长，从2023年的6,165项增加到2024年的6,377项，增长了3%。

• 台积电（TSMC）在排名中上升了一位，2024年获得了3,989项专利，相比2023年的3,687项，增长了8%。

KIOXIA推出开源软件，旨在减少生成式AI系统中的DRAM需求

• 该公司新开发的软件AiSAQ包含一种新的“近似最近邻搜索”（ANNS）算法，能够在无需将索引数据存储在DRAM中的情况下，为检索增强生成（RAG）提供可扩展的性能，而是直接在SSD上进行搜索。

• RAG是人工智能的关键阶段，通过特定于公司或应用的数据来优化大型语言模型（LLMs）。

SANDISK闪迪将举办2025年首届投资者日，作为独立的闪存和内存技术创新者亮相

SK海力士与SK电讯及Penguin Solutions达成合作

• 此次合作旨在推动全面的AI数据中心（AIDC）解决方案的开发与交付，并为构建具有全球竞争力的AI数据中心奠定基础。通过整合SK集团在半导体、能源、冷却和内存等领域的独特技术，公司致力于探索并开发具有高度竞争力的AI基础设施商业模式。

Micron美光在新加坡破土动工新建HBM先进封装工厂

•这座新的HBM先进封装工厂将是新加坡首座此类设施。新工厂计划于2026年开始运营，并预计在2027年大幅扩展美光的先进封装产能，以满足人工智能增长的需求。该工厂的启动将进一步增强新加坡本地的半导体生态系统和创新能力。

全球SSD需求在2024年第四季度达到了2024年全年出货量的最高水平，预计2025年上半年的出货量将比前一阶段进一步攀升。

2024年下半年，所有应用的DRAM生产开始恢复，2025年的总体产量水平预计将保持在2024年季度水平之上。

NAND 满足率: 自2024年中以来，将维持在较低的水平。

价格走势: NAND Flash价格在2024年第四季度降至低点，并将在2025年全年保持低位，原因是整体需求并不显著强劲，且主要芯片制造商计划执行减产

DRAM满足率: 2024年全年保持在极低水平，但2025年上半年可能会增加产量以满足HBM需求。
价格走势: 8Gb合约价格在2024年第一季度末强劲反弹，此后价格水平保持稳定。2025年，DRAM价格可能在第一季度有所下降，但由于DDR4可能的减产，价格将保持在相对较高的水平。

● 供给稳定 ● 供给略紧张 ● 供给吃紧 ▂ 持平 ▲ 上扬 ▼ 下跌