3月份存储市场产业新讯

三星推出PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0 M.2 2280固态硬盘，容量最高达8TB

•专为AI驱动创作者设计的9100 PRO固态硬盘（带散热片为可选配置）顺序读写速度高达14,800/13,400MB/s，4TB和8TB版本的随机读写性能分别为2,200K/2,600K IOPS。

铠侠和闪迪发布下一代3D闪存技术，实现4.8Gb/s NAND接口速度

• 关键技术：CBA（CMOS直接绑定阵列）；基于SCA（独立命令地址）协议的新型命令地址输入方法；PI-LTT（电源隔离低抽头终端）技术，降低数据输入/输出时的功耗

•该技术预计将使NAND接口速度比目前量产的第八代3D闪存提升33%，同时输入功耗降低10%，输出功耗降低34%，从而实现高性能与低功耗的平衡。通过将存储层数增加至332层并优化布局以提高平面密度，该技术使比特密度提升了59%。

SK海力士获得国内站点的TISAX认证

• 该公司计划通过此认证与全球汽车制造商和主要汽车零部件公司更紧密合作，并基于完善的安全体系与客户建立信任，引领下一代汽车内存市场。（*TISAX：旨在标准化汽车行业供应链中企业间信息安全的全球信息安全认证体系）

美光科技与工业公司合作，旨在为工业应用提供创新解决方案

•自2020年2月起，美光通过其IQ合作伙伴计划与7家公司展开合作，涵盖工厂自动化、交通运输和国防系统等领域。

全球SSD需求在2024年第四季度达到了2024年全年出货量的最高水平，预计2025年上半年的出货量将比前一阶段进一步攀升，甚至超过前一阶段

2024年下半年，所有应用的DRAM生产开始恢复，2025年的总体产量水平预计将保持在2024年季度水平之上。

NAND 满足率: 自2024年中以来，将维持在较低的水平。

价格走势: NAND Falsh价格在2024年第四季度降至低点，并将在2025年全年保持低位，原因是整体需求未显著增强，且主要芯片制造商计划执行减产

DRAM满足率: 2024年全年保持在极低水平，但2025年上半年可能会增加产量以满足HBM需求。
价格走势: 8Gb合约价格在2025年下半年略有下降，但由于DDR4持续减产，价格仍将维持在相对较高的水平，远高于最低现货价格水平。

● 供给稳定 ● 供给略紧张 ● 供给吃紧 ▂ 持平 ▲ 上扬 ▼ 下跌