三星CXL内存设备与编排控制面板重新定义内存技术的可能性
•CMM-B作为支持CXL 1.1和2.0协议的内存池，可容纳多达24个E3.S CMM-D设备，总容量范围达3至24TB。这些由计算快速连结（CXL）驱动的软件定义内存技术解决方案，专为满足数据中心向下一代解耦系统架构转型时所需的可扩展性、可管理性、可配置性及灵活性而设计。
Kioxia发布面向AI应用的高容量LC9系列122.88TB NVMe 2.5英寸固态硬盘（即将上市）
• LC9系列是该公司首款采用BiCS8 3D闪存QLC 2TB芯片的产品，提供PCIe 5.0接口和双端口功能，可实现容错或多计算系统连接。
•这些基于QLC技术的大容量固态硬盘非常适合部署在混合云和多云系统中，通过云端配置为AI服务器系统提供训练和推理数据支持。
Sandisk推出iNAND AT EU752 UFS4.1嵌入式闪存设备
• 作为其先进车规级存储技术产品线的新成员，iNAND AT EU752是首款符合UFS4.1接口标准的车规级存储设备。
• 高级驾驶辅助系统(ADAS)、自动驾驶(AD)和电子座舱等车载AI系统需要实时获取传感器、地图和AI数据库信息以确保安全运行。iNAND嵌入式闪存驱动器通过提供实时车载存储解决方案，确保AD计算机在需要时获得可靠数据，有效解决云端访问时产生的延迟和连接问题。
SK海力士在NVIDIA GTC 2025大会上展示面向AI数据中心的内存技术
• 本次展会亮相的业界领先AI内存技术包括12层堆栈HBM3E及AI服务器新内存标准SOCAMM。该公司计划于2025年下半年完成12层HBM4量产准备工作，以便接单后立即投入供应。* SOCAMM（小外形压缩附加内存模块）：基于DRAM的低功耗AI服务器专用内存模块
美光携手NVIDIA实现从数据中心到边缘计算的全面创新
• 行业领先地位：作为首家且目前唯一同时为数据中心AI服务器提供HBM3E和SOCAMM产品的内存厂商，该公司持续保持LPDDR数据中心应用方案的设计与交付领导地位。
• 深度技术协作：与NVIDIA联合开发的模块化LPDDR5X内存解决方案SOCAMM，专为支持NVIDIA GB300 Grace Blackwell超强超级芯片设计；美光HBM3E产品在NVIDIA Hopper及Blackwell系统中的部署，彰显其加速AI工作负载的关键作用。
2024年第四季度全球SSD需求达到全年出货量峰值，但预计2025年出货量仍将维持在高于前期的水平
NAND 满足率: 自2024年以来，维持在较低的水平。
价格走势: NAND Falsh价格在2024年第四季度降至低点，但由于芯片制造商鉴于整体需求未明显走强而计划减产，2025年第一季度价格料将小幅回升
DRAM满足率: 2024全年持续极度紧缺，但2025年上半年或增加产能以满足HBM需求。
价格走势: 8Gb合约价格在2025年第二季度小幅回落，但由于DDR4持续减产，价格仍将维持在较最低现货价更高的水平。
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