6月份存储市场产业新讯

曝三星3nm工艺良率仍为50%，被台积电90%高良率远远甩开

•如此低的产量率‌，使得三星更难获得大型科技公司的信任。尽管三星在成熟的7nm和8nm节点上‌正取得进展‌，据报导还接到了任天堂的订单。谷歌的Tensor G5据说‌正在将需求转向‌台积电的3nm，并打算与台积电锁定未来‌3-5年‌的合作，涵盖Pixel系列机型，至少直至Pixel 14。

Western Digital和Ingrasys建立长期合作

• 这两家公司旨在提供一款带有嵌入式存储的新型机架顶部（TOR）交换机，该交换机在网络边缘提供分布式存储，以降低存储访问延迟，减少对独立存储网络的需求，并避免访问集中式存储数组。

Kioxia开始提供企业级CM9系列PCIe 5.0 NVMe SSD样品，容量高达61.44TB

• 该系列是使用Kioxia的BiCS8 3D TLC闪存内存构建的首款企业级SSD，与前代产品相比，随机写入性能提升了约65%，随机读取性能提升了55%，顺序写入性能提升了95%。此外，在性能/瓦特增益方面，顺序读取效率提高了55%，顺序写入效率提高了75%。

SK hynix开发出基于321层NAND的UFS 4.1解决方案

• 随着对设备上AI需求的增加，设备的计算能力和电池效率之间的平衡变得愈发重要，移动市场现在要求移动设备更轻薄且功耗更低。

• 最新产品相比基于238层NAND的前代产品，在功耗效率上提升了7%，厚度从1mm减少到0.85mm，以适应超薄智慧手机。

美光12hi HBM3e在CSP的强劲支持下，到8月出货量可能超过8hi

• Micron对12hi HBM3E寄予厚望，认为随着产量的迅速提升，该产品的出货量将超越当前的8hi HBM3e。这得益于其产量的快速提升。

• Micron正迅速缩小与SK hynix的差距。其顶级产品12hi HBM3e已经为NVIDIA的B300提供动力。尽管Micron的整体DRAM产能可能不及SK hynix，但其在尖端10nm级1b工艺上的更高份额使其具有质量优势，特别是在热管理方面，这是HBM的关键因素。

2024年第四季度全球SSD需求达到全年出货量峰值，但预计2025年上半年出货量仍将维持在高于前期的水平

2024年各应用领域的DRAM产能全面复苏，2025年的总体产量水平预计将保持在2024年季度水平之上

NAND 满足率: 自2024年以来，维持低位供应。

价格走势: NAND Falsh价格在2024年第四季度跌至低谷，但预计2025年将微幅反弹——主因芯片制造商计划减产（考虑终端需求未显著走强），且受美国关税政策不确定性波及。

DRAM满足率: 2025年全年维持极度紧缺，仅Q1'25为满足年度框架订单小幅扩产。
价格走势: 8Gb现货价急涨，预计2025年第三季将突破合约价——主因系DDR4持续减产所致。