三星与约翰霍普金斯联合开发下一代制冷技术
•三星与约翰斯·霍普金斯应用物理实验室（APL）联合发表了一篇题为“纳米工程薄膜热电材料实现实用固态制冷”的研究论文。该研究团队通过使用新型薄膜半导体材料以及小型化和轻量化设计，将珀尔帖器件的效率提高了近75%，从而实现了卓越的冷却效率。
铠侠开始送样新一代CD9P系列EDSFF/E3.S规格数据中心SSD 容量最高达61.44TB
• 基于BiCS8三维闪存技术：采用创新CBA架构降低发热，提升散热效率
• 性能功耗双突破：15.36TB型号较上代实现顺序读写能效提升60%/45%，随机读写每瓦特性能提升55%/100%（以KIOps计）
• 综合价值升级：在性能指标、功耗表现及总体拥有成本（TCO）方面实现全方位优化
SK海力士、美光推动DDR4最后采购潮 退市效应推升第三季价格
• DDR4现货市场涨幅居前 模组涨幅反超芯片
• 由于大量旧款处理器平台及设备型号仍需DDR4内存支持，6月下半月主流芯片（1Gx8 3200MT/s）现货均价已上涨22.2%
• 两大巨头正与客户积极协商最后一次采购协议
美光开始向客户提供HBM4内存样品
• 适用于下一代AI和HPC处理器的新内存组件具有36GB的容量，并提供2TB/s的带宽
• 12层器件的数据传输速率约为7.85 GT/s。样品依赖于在该公司的1βDRAM制程技术以及台积电使用其12FFC+（2nm级）或N5生产的逻辑基片（5nm级）逻辑制程技术
SSD正进入季节性需求淡季。受北美库存积压及中国对进口存储产品走私的严厉管控影响，第三季度闪存芯片出货量已跌至2025年以来的最低水平
NAND 满足率: 自2024年以来，维持低位供应。
价格走势: 尽管总体需求并不强劲且仍存在部分库存，但随着芯片制造商持续执行减产计划，NAND Flash价格在2025年第二季度小幅反弹后，预计将在2025全年维持在平均水平。
DRAM满足率: 2025年整体维持在极低水平，仅在第一季度为满足价格上涨期间的激增需求而略有扩产。
价格走势: 由于DDR4持续减产，8Gb现货价格已大幅上涨，预计将在2025年第三季度超过合约价。
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