三星非常重视人工智能驱动的增长、HBM4的开发以及针对竞争对手的战略定位
•该公司正在加大力度，以重新夺回在HBM领域的领导地位，而SK海力士最近在这一领域取得了进展。它还在Roadmap上展示了基于AI优化的DRAM和NAND解决方案，强调了数据中心和HPC应用的可扩展性和能效。
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• 该设施采用了先进的环境技术，包括节能系统和废水回收技术，这是两家公司在NAND闪存生产领域长期以来的合作成果，旨在为消费类和企业级应用提供下一代存储解决方案。
SK海力士正式开始量产HBM4，每个芯片容量为36GB，带宽高达2TB/s
•这款内存针对NVIDIA的Rubin AI加速器进行了优化，与前几代产品相比，速度提升了高达60%。同时，它还专为满足人工智能服务器、数据中心和边缘计算的需求而设计。
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• 该公司正通过大力投资美国本土的设施来加速其内存生产战略，旨在将内存生产回流并减少对海外制造的依赖，尤其是对于AI驱动的高带宽内存（HBM）。该公司计划在2025年底至2026年初逐步淘汰DDR4和LPDDR4X的生产。
全球SSD需求从第二季度的相对较低水平有所复苏，预计到2026年将维持在高于当前阶段的水平。
NAND 满足率: 自2024年以来维持低位。供应商已加强减产力度，将制造资源集中于AI相关需求。
价格走势: 受AI基础设施扩张和服务器升级的推动，企业和云服务提供商（CSP）的需求激增，预计第四季度NAND Falsh整体价格将持续上涨。
DRAM满足率: 从2025年第四季度至2026年上半年，随着制造商逐步淘汰DDR4生产并将产能从云服务提供商（CSPs）重新分配给高需求应用，DRAM供应面临巨大压力。这一转变导致DRAM整体供应明显趋紧。
价格走势: 由于持续减产，DDR4价格维持高位。来自CSP和企业服务器的强劲需求使DDR4供应紧张，同时制造商优先生产DDR5和HBM，这将推动价格在第四季度进一步上涨。
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