1月市场新讯

三星推出降低96%低功耗NAND设计

•三星基于FeFET的NAND设计是朝着超高效闪存迈出的重要一步，有望降低96%的功耗和更高的密度（每个单元高达5位）。虽然仍处于实验阶段，但它可能会重新定义NAND Flash在能源敏感应用中的未来。

Kioxia的SSD实现与Microchip的Adaptec SmartRAID 4300系列RAID存储加速器的兼容性

• 这些SSD现已获得认证，可与Adaptec SmartRAID 4300系列RAID存储加速卡实现兼容与互操作性，确保高容量NVMe部署的互操作性与性能。

• SmartRAID 4300支持多达32块NVMe SSD，可构建大规模高性能存储阵列。

SanDisk被公认为是闪存巨头的重生，如今已站在AI驱动存储革命的中心

• 该公司的重生被描述为一场“彻底转型”，标志着从传统消费电子向企业级产品的转变存储解决方案

• 分析师强调，在人工智能需求加速的背景下， SanDisk在半导体和存储领域的战略重要性。

SK海力士完成基于32Gb芯片的256GB服务器DDR5 RDIMM的英特尔数据中心认证

•该公司的256GB DDR5 RDIMM采用先进的32Gb DRAM芯片构建，现已获得英特尔Xeon 6服务器的正式认证，这意味着数据中心高容量下一代内存的一个里程碑。256GB RAM为每台服务器提供了更大的内存空间，这对人工智能、大数据和云工作负载至关重要。

Micron宣布退出Crucial消费者业务

• 该公司在近三十年后将其Crucial消费者品牌退役，将重点转向企业和人工智能驱动的数据中心解决方案，同时确保过渡期间的保修支持和员工重新部署。

在人工智能和数据中心增长的推动下，NAND Flash需求急剧转向高容量的企业SSD，促使3D NAND产量稳步上升，平面NAND产量下降，昭示着供应结构正为适应不断变化的市场需求而实现转型。

DRAM产能正由服务器与移动设备的强劲需求驱动。分析师预测，至2026年，市场对先进制程DRAM的需求将持续攀升。

NAND 满足率: 从25年第三季度开始，CSP驱动的AI扩张导致了严重的NAND短缺，这可能会持续到2026年上半年。

价格走势: 在人工智能基础设施扩张和服务器升级的推动下，随着企业和云服务提供商（CSP）需求激增，NAND闪存的整体价格在25年第四季度大幅上涨。预计2026年市场状况将继续，NAND闪存价格将维持在较高水平。

DRAM满足率: 自2025年第二季度以来，随着制造商逐步淘汰DDR4生产，并将产能重新分配给CSP的高需求应用，供应面临巨大压力。这一转变导致DRAM整体可用性明显收紧。
价格走势: 从2025年底开始，现货价格开始偏离合同定价，反映出更多现货和渠道市场的持续短缺。