三星开始量产高达36GB、性能适用于AI计算的HBM4内存
•三星电子已开始量产其HBM4内存，成为业界首家实现量产的公司。该芯片可满足高性能AI工作负载，速率可达11.7Gb/s，最高可达13Gb/s。通过12层堆叠技术，提供24-36GB的容量，并计划未来推出48GB产品。此外，HBM4的能效提升了40%，优化了热性能。
铠侠推出QLC UFS Ver. 4.1嵌入式闪存设备样品，用于高容量移动存储
• 采用第8代BiCS FLASH 3D NAND技术，与前代产品相比，实现了显著的性能提升，包括顺序写入速度提升25%，随机读取速度提升90%，随机写入速度提升95%。这些设备适用于智能手机、平板电脑、PC、AR/VR、物联网以及AI电子产品。
闪迪强调AI驱动的强劲需求和战略性供应调整
•闪迪公布了其第二财季财务业绩，强调了公司能够利用改善的产品组合、加速企业级SSD的部署，并受益于AI驱动的市场需求的增长。公司补充说，调整供应以匹配持续且有吸引力的需求，使闪迪能够实现有纪律的增长和行业领先的财务表现
SK海力士将设立专注于AI解决方案的美国子公司
•SK海力士将设立一家位于美国的AI解决方案子公司，以推动新的AI增长机会。计划利用其先进的存储技术（如HBM）提供优化的AI数据中心系统并增强竞争力。这家"AI公司"将通过重组Solidigm而成立，SK海力士承诺根据需要提供100亿美元的资金。新部门旨在加强全球AI战略，并深化与美国及其他地区AI公司的合作。
美光在新加坡破土动工建设先进晶圆制造厂
• 美光已开始在新加坡建设新的先进晶圆制造厂。该公司将在10年内投资约240亿美元，以扩大NAND制造产能。生产预计将于2028年下半年启动，以满足因AI相关需求增长。新工厂将加强美光的闪存优势，并支持未来的技术过渡。
在人工智能和数据中心增长的推动下，NAND Flash需求急剧转向高容量的企业SSD，促使3D NAND产量稳步上升，平面NAND产量下降，昭示着供应结构正为适应不断变化的市场需求而实现转型。
NAND 满足率: 从25年第三季度开始，云服务提供商CSP驱动的AI扩张导致了严重的NAND短缺，此情况或将于2026年下半年逐步改善。
价格走势: 2025年第四季度，受AI基础设施扩张和服务器升级驱动，企业及云服务提供商（CSP）需求激增，导致NAND flash整体价格大幅上涨。预计2026年市场状况将持续，NAND flash价格将保持高位。
DRAM满足率: 自2025年第二季度以来，随着制造商逐步淘汰DDR4生产，并将产能重新分配给CSP的高需求应用，供应面临巨大压力。这一转变导致DRAM整体可用性明显收紧。
价格走势: 从2025年底开始，现货价格开始偏离合同定价，反映出现货和渠道市场持续短缺的态势。
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