三星和AMD扩大下一代人工智能内存解决方案的战略合作
•三星通过一份谅解备忘录扩大了与AMD的战略合作伙伴关系，以支持下一代AI内存和计算平台，这突显了其在快速扩张的HBM和AI内存市场中的竞争力，使供应与数据中心和加速器增长驱动的长期AI需求相一致。
铠侠停止2D NAND产品生产——1980年代平面型NAND闪存即将停产
•停产范围覆盖所有主要晶圆类型（SLC、MLC、TLC）及多个工艺节点（32nm、24nm、15nm），还包括早期64层BiCS3 3D NAND，表明传统产线将全面关停，而非仅选择性砍掉部分SKU。该决定表明铠侠公司优先提升高利润NAND闪存产能的意图，此类产品应用于人工智能、数据中心及企业存储领域，其需求增长与定价能力显著强于传统市场。
SK海力士与闪迪启动下一代存储技术“HBF”全球标准化进程
•两家公司均强调，AI工作负载正从训练转向推理，其特点为持续运行、高并发性，能效对存储架构提出了新的要求。企业预计，到2030年左右，复杂的多级存储架构将实现显著的需求增长，而早期标准化为未来的商业化奠定基础。 高带宽闪存（HBF）被设计为HBM与SSD之间的一个新型存储层，旨在弥补超高带宽与存储之间的性能差距，在提升AI推理工作负载的可扩展性和能效的同时，实现带宽与大容量。
美光公布了创纪录的第二财季营收238.6亿美元
• 营收环比增长74.9%，同比激增196.4%，标志着该公司迄今为止最强劲的季度业绩。管理层指出，当前的市场状况仍然有利，随着人工智能驱动的需求持续存在，整个行业的供应趋势得以维持，预计2026财年第三季度将继续保持强劲。
在整体SSD出货量中，对传统SSD的需求最小。2026年AI相关应用的快速扩张预计将推动主流3D SSD产品需求的持续增长。
NAND 满足率: 从25年第三季度开始，CSP驱动的AI扩张导致了严重的NAND短缺，此情况将持续至2026年。
价格走势: 2025年第四季度，受AI基础设施扩张和服务器升级驱动，企业及云服务提供商(CSP)需求激增，导致NAND flash整体价格大幅上涨。预计2026年市场状况将持续，NAND flash价格将保持高位。
DRAM满足率: 自2025年第三季度以来，随着制造商逐步淘汰DDR4生产，并将产能重新分配给CSP的高需求应用，供应面临巨大压力。这一转变导致DRAM整体可用性明显收紧。
价格走势: 在CSP主导的需求吸收供应和不断增长的HBM分配挤出商品DRAM产能的推动下，DDR4价格在现货和合约市场都大幅上涨。
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