工会集会导致三星晶圆厂夜班产量暴跌58% ——超过 4 万人参加集会，要求提高薪资和奖金
•此次生产中断由大规模工会集会引发，参与人数接近三星半导体晶圆厂员工总数的三分之一。事件表明，即便是短暂的劳工行动，也会对高度自动化的半导体生产造成立即可见的显著影响。若罢工持续，将削弱三星在 AI 芯片等下一代内存技术上的领先优势，可能导致客户转向 SK 海力士等竞争对手，同时推高全行业产品价格。
铠侠、Solidigm 和闪迪投资南亚科技
•这一举措反映了这些公司采用轻资产扩张策略：他们不直接进行晶圆厂投资，而是通过财务参股来获得战略影响力、供应可见性和生态系统韧性。通过支持南亚科技的10纳米级DRAM路线图（DDR5 和 LPDDR5），铠侠和闪迪得以更贴近高性能计算、企业级存储和AI加速器所需的下一代存储技术。
SK海力士开始供应用于最高 2TB 消费端 SSD 的 321 层 QLC NAND
•此举标志着超高层数 NAND 商业化的重要里程碑。新产品 PQC21 定位为 AI PC 时代的下一代存储解决方案，面向需要大容量、强劲性能和更高能效的系统。根据 IDC 预测，全球客户端 SSD 市场中 QLC NAND 的份额将从 2025 年的 22% 增长至 2027 年的 61%。此次供货启动支持了 SK 海力士在基于 QLC 的消费端 SSD 领域确立领导地位的战略。SK 海力士已于 2026 年 4 月开始向戴尔科技批量出货，并计划未来逐步扩大向其他全球 OEM 厂商的供货。
美光开始批量出货 HBM4 36GB 12H产品
• 该系列专为英伟达Vera Rubin AI平台设计。HBM4的引脚速率超过11Gb/s，总带宽突破2.8TB/s，较 HBM3E提升2.3倍。为支持未来容量扩展，美光同时已送出HBM4 48GB 16层（16H）堆叠样品，单颗HBM容量较 36GB 12H产品提升33%，展现了其先进的封装技术实力。
在整体SSD出货量中，对传统SSD的需求最小。2026年AI相关应用的快速扩张预计将推动主流3D SSD产品需求的持续增长。
NAND 满足率: 从25年第三季度开始，CSP驱动的AI扩张导致了严重的NAND短缺，此情况将持续整个2026年。
价格走势: 受AI基础设施扩张和服务器升级推动，企业级及云服务提供商（CSP）需求激增，2025年第四季度整体NAND闪存价格大幅上涨。预计2026年市场状况将持续，NAND flash价格将保持高位。
DRAM满足率: 从2025年第三季度到2026年上半年，由于制造商逐步停产 DDR4 并将产能重新分配给来自 CSP 的高需求应用，供应承受了显著压力。这一转变导致整体 DRAM 供应明显趋紧。
价格走势: 受云服务商（CSP）需求持续消化库存、以及 HBM 产能扩张挤压通用 DRAM 产能的双重影响，DDR4 现货与合约价已出现大幅上涨。
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